应用物理系主要实验设备简介
发布人:曹贞斌  发布时间:2023-02-23   浏览次数:124

1.  

设备名称

高分辨X射线三维数字成像分析系统

厂家

天津三英精密仪器股份有限公司

型号

nanoVoexl 3000

购置时间

2020.06

简介:

高分辨X射线三维数字成像分析系统(CT)是利用X射线断层扫描三维图像采集技术,可多尺度、不破坏样品、无损3D扫描样品,并将扫描数据体数字化,可进行内部结构三维可视化,直观观测内部结构,可用于复合材料无损检测、多孔介质材料分析和储层岩心微观结构分析等方面。

主要技术指标:

1.系统最高空间分辨率≤1μm(空间分辨率测试卡结果证明);

2.设备支持原位加载系统扩展,样品台最大承重可达15Kg

3.支持多种类型扫描成像模式:二维投影DR成像,圆轨迹锥束CT,超视野锥束CT,螺旋锥束CT,偏置锥束CT

4.可扫描最大样品≥200mm

2.

设备名称

核磁共振分析仪

厂家

苏州纽迈分析仪器股份有限公司

型号

MicroMR12-025V

购置时间

2022.09

简介:

核磁共振的基本原理是用无线电射频脉冲激发物体内的氢原子核,引起氢原子核共振,并吸收能量。在停止射频脉冲后,氢原子核按特定频率发出射电信号,并将吸收的能量释放出来,被接受器收录,经计算机处理后,可反演分析物质的微观结构。核磁共振是一种物理现象,作为一种分析手段广泛应用于物理. 化学生物等领域。

主要技术指标:

1、磁体类型:永磁体;

2、磁场强度:0.28±0.03T

3、检测原子核:1H原子核;

4、磁体均匀度:≤30ppmØ30mm*H60mm圆柱体);

51英寸探头,内径32mm,样品最大尺寸:Ø25.4mm*H60mm

3.

设备名称

X射线衍射仪

厂家

丹东通达科技有限公司

型号

TD-3500

购置时间

2016.11

简介:

X射线衍射仪(XRD)主要应用于粉末、块状或薄膜样品的物相定性、定量分析、晶体结构分析、材料结构分析、晶体的取向性分析、宏观应力或微观应力的测定、晶粒大小测定、结晶度测定等。

主要技术指标:

1、功率:2.4kW

2、焦点:1×10mm

3、靶材:CU靶一只;

4角重复精度≤0.0001°

5、滤光片:Ni

4.

设备名称

微结构表征分析仪

厂家

国仪量子(合肥)技术有限公司

型号

SEM3100

购置时间

2022.10

简介:

利用二次电子或背散射电子信号对金属材料、半导体材料及高分子材料、岩心等微观结构进行表面形貌及断口分析,并可以配合能谱仪对样品元素进行半定量分析。

主要技术指标:

预对中发叉式钨灯丝电子枪

1、二次电子图像: 3.0 nm @ 30 kV

2、背散射电子图像:4.0 nm @ 30 kV

3、加速电压:1 kV30 kV

4、底片倍率:1-300000x1-16x为光学放大

5、屏幕倍率:1-1000000x

6、探测器:二次电子探测器;背散射探测器

5.

设备名称

高性能计算集群

厂家

DELL

型号

购置时间

2020.05

简介:

支持集成多类型应用软件,包括应用物理模拟仿真计算、机械行业设计软件、制造业 CAD/CAE 设计软件、石油勘探分析软件、科学计算软件和大数据分析软件等。

主要技术指标:

计算节点:22

线程:22*40

6.

设备名称

高温真空管式炉

厂家

安徽贝意克设备技术有限公司

型号

购置时间

2015.06

简介:

主要用于CVD法制备石墨烯;也可广泛用于各种反应温度在1100℃左右的快速升温、快速降温、真空烧结、气氛保护烧结、纳米材料制备、电池材料制备等多个研究领域。

主要技术指标:

最高温度:1200℃(< 1 hr)

持续工作温度:1100℃

加热区长度:200+200+200mm

控温精度:+/- 1℃

7.

设备名称

脉冲激光沉积系统(PLD

厂家

中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司

型号

PLD450

购置时间

2022.12

简介:

脉冲激光沉积技术利用是高能脉冲激光辐照固体靶,然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上,得到薄膜的一种手段。其薄膜沉积过程被认为是“化学计量”的,非常适合于沉积一些难熔材料及多组分材料(如化合物半导体、电子陶瓷、超导材料)的精密薄材料。

主要技术指标:

最高工作温度:800℃

极限真空度:≤6.67x10-5Pa

沉积源:φ2英寸靶材,4

样品尺寸:φ2英寸


8.

设备名称

低温物性测量系统

厂家

蓝海科仪

型号

购置时间

2020.12

简介:

脉冲激光沉积技术利用是高能脉冲激光辐照固体靶,然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上,得到薄膜的一种手段。其薄膜沉积过程被认为是“化学计量”的,非常适合于沉积一些难熔材料及多组分材料(如化合物半导体、电子陶瓷、超导材料)的精密薄材料。

主要技术指标:

温度:4.2~350K,控温精度0.1K

石英光学窗口:2

磁场:0~0.6T360°旋转

电学:Keithley2400源表