时间：2019年4月28日 下午4:00-5:30        地点：南教210

报告人简介：葛琛，中国科学院物理研究所副研究员，博士生导师。2007年本科毕业于山东大学物理学院。2007-2012年中科院物理所师从杨国桢院士攻读硕博连续学位，留所工作至今。一直从事激光分子束外延方法制备钙钛矿氧化物异质结构及新型器件研究，在Adv. Mater.、Science、Small、ACS AMI、PRB、APL等等期刊上发表SCI论文50余篇。目前承担国家重点研发计划（课题负责人）、国家自然科学基金委、中国科学院等多个项目，长期担任Adv. Mater.、Adv. Sci.、ACS AMI、APL等期刊审稿人，入选中国科学院青年创新促进会。

随着人类社会数据量的急剧增加以及数据类型复杂程度的提高，类似于人脑的神经网络型信息处理模式效率将会明显优于传统架构计算机。开发符合神经形态计算特性的电子器件进而构建大规模人工神经网络，成为未来信息科技发展的一个重要方向。近期，我们在基于钙钛矿氧化物异质结的新型电解质调控突触晶体管取得一些进展。我们利用制备的高质量WO₃薄膜实现了高性能神经突触晶体管器件[1, 2]，系统研究极化离子液体调控WO₃相变的物理机制：当门电压小于水的分解电位时离子液体调控主要是静电场效应起作用，撤掉门电压沟道电导立刻恢复，可以模拟突触的短程记忆过程；当门电压小于水的分解电位时离子液体调控主要是电化学效应起作用，伴随着H⁺在WO₃薄膜A位空隙的插入，对应着长程记忆过程。我们不仅可以利用极化离子液体调控H⁺还可以调控O^2-在钙钛矿材料的注入与脱出，通过极化离子液体调控拓扑相转换材料SrFeO_x在钙铁石和钙钛矿相之间的可逆转换，进而成功设计出综合性能优异的突触晶体管[3]。

                                                                                                                                                                                    （尼浩老师邀请）

[1] Adv. Mater. 30, 1801548 (2018).

[2] J. Mater. Chem. C 5, 11694 (2017). Highlighting Research selected by Editor

[3] Adv. Mater. 31, 1900379 (2019).